スパッタリング法によるGaNのエピタキシャル薄膜形成技術「RaSE（レイズ）法」および同技術をもちいたスパッタリングモジュール。特徴は、①同社が新たに開発したRaSE法を生産ラインへ対応可能な大口径型スパッタリング装置として最適化、②対応基板サイズ2〜8inch、③膜厚＆抵抗分布±10％（8inchエリア）、④4／6角コアに対応し、開発〜量産運用まで対応、⑤ターゲット交換による材料選択可能、⑥特ガス除害設備不要、など。