低消費電力／低ノイズの40V耐圧パワーMOSFET。特徴は、①40V耐圧のエンハンスメント型NチャネルMOSFETで、STPOWER STripFET F8酸化膜充填トレンチ技術を活用して優れた性能を実現、②ゲートソース間電圧（VGS）10V時の最大オン抵抗（Rds（on））は、『STL320N4LF8』が0.8mΩ、『STL325N4LF8AG』が0.75mΩ、③小型かつ放熱効率に優れたPowerFLAT 5×6パッケージで提供、④ドレインソース間の電圧スパイクが防止され、ターンオフ時の減衰振動時間が短縮、など。