外部電源を必要とせず、数十マイクロ秒オーダーの高速負荷ターンオンを実現する高電圧光絶縁型MOSFETゲートドライバ。特徴は、①負荷バイアスを使用することで、外付けMOSFETの起動速度が向上、②オプトゲートドライバの補助電源が不要、③AC、DCともに光絶縁型SSRアプリケーションに対応、④より高出力のMOSFETを使用可能、⑤論理ポートからの制御が可能、⑥外付けストレージコンデンサの追加により定電圧制御が可能、など。