一般的な歪みゲージの50倍以上の感度を実現した高感度半導体歪みセンサ。特徴は、①1700×350μmサイズの小型高感度タイプの半導体歪みゲージを内蔵し、センサ内部にてブリッジ回路を形成することで印加電圧および歪み量に応じた電圧を得られる、②ノイズの多い使用環境において正確な歪み量を得るためにセンサ内部にはインピーダンス変換器を内蔵、③きわめて高感度、④最小測定単位は1μStrain〜、⑤W8×D10×H40mmと小型、⑥直接の荷重を受けないため故障しにくいなど高耐久性を実現、など。