シリコンベースのハーフブリッジゲートドライバと、2つのGaNパワートランジスタを集積した集積型GaNソリューション。特徴は、①最大45W（MasterGaN3）／150W（MasterGaN5）の高効率電力変換を実現、②MasterGaN3はソフトスイッチングや動的整流コンバータに適し、MasterGaN5はLLC共振やアクティブクランプフライバックなどのトポロジに適している、③ロジック入力は3.3〜15Vの信号と互換性がある、④保護機能内蔵、⑤専用開発ボードを提供、⑥GQFNパッケージで提供、など。