トンネル磁気抵抗（TMR）技術を採用した角度センサ。

特徴は、
①抵抗値約1.25MΩのTMRセンサ素子を、パッケージの中に90°ずつ回転された4素子で構成し、ブリッジ接続されている、
②センサと加えられる磁界の角度のサインとコサインの比例値を出力、
③出力は供給電圧に比例し、peak to peak出力電圧はほかのセンサ技術の場合により大きくなっている、
④NVE社製TDFN6表面実装パッケージ（2.5×2.5×0.8mm）で封止、
など。