広いダイナミックレンジ、光絶縁、シームレスなインタフェースを備え、次世代のワイドバンドギャップ（WBG）半導体であるSiCやGaNベースの電源設計を可能にする絶縁プロービングシステム。特徴は、①立ち上がり時間450p秒未満、②100MHz〜1GHzの帯域幅（アップグレード可能）、③＞90dB（＞30000：1）のCMRR（1GHz）、④±3000Vの差動入力とオフセット範囲、⑤±60kVのCMRR範囲、⑥±10mVの高感度入力レンジ、⑦同社製プローブインタフェースとSMAの両方に対応したデュアルインタフェース、など。