パワー半導体／光通信デバイス実装を可能としたソルダボンダ。特徴は、①温度（最大400℃）条件での高精度搭載を実現、②はんだ酸化を防ぐ酸素濃度制御下での接合（酸素濃度500ppm以下）、③プロセスゾーン（pre／main／after）ごとの温度制御に対応、④様々な形状（ペースト／リボン）のはんだ供給が可能、⑤基板供給：搬送キャリヤまたはダイレクト搬送、⑥チップ供給：チップトレイ（段積み）／ウエハ（オプション）、など。