産業用アプリケーションでSiC MOSFETおよび高出力IGBTを駆動することに特化して設計されたローサイドゲートドライバ。特徴は、①9Aソースとシンク出力が分離されており、スイッチング損失を最小限に抑えながら、ターンオン／ターンオフのタイミングを調整可能、②負電圧レギュレータを内蔵し、ユーザーがゲート駆動バイアスを負にすることができ、dV/dt耐性とターンオフの高速化が可能、③ドライバの動作電圧範囲（VDD-VSS）は最大35V、④内蔵負電圧レギュレータにより外付けの補助電源やDC/DCコンバータが不要、など。