100V耐圧のNチャネル型パワーMOSFET。特徴は、①ゲート／ドレイン間電荷（QGD）とオン抵抗（RDS(on)）がきわめて低く、同等の従来製品と比べて性能指数（オン抵抗×ゲート電荷）が40％向上、②同社のSTPOWER STripFET F8 酸化膜充填トレンチ技術を活用し、最大オン抵抗が4.6mΩ（VGS＝10V）と低く、600kHzまでのスイッチング周波数で効率的に動作可能、③適切な出力容量が保証され、ドレイン／ソース間の電圧スパイク防止やエネルギー損失の最小化に貢献、など。