同社の第5世代にあたる新微細プロセスの採用により、単位面積あたりの優れた低オン抵抗を実現したPch MOSFET。特徴は、①−40V耐圧品で従来品比62％減、−60V耐圧品で同52％減の低オン抵抗により、機器の省エネと小型化に貢献、②素子構造を最適化するとともに、電界集中を緩和する新デザインを採用することで、品質向上を実現、③多彩なラインアップ展開により、幅広いアプリケーションの設計工数削減と高信頼化に貢献、など。