SiCの熱酸化プロセスおよびGaNの結晶成長など、高い純度や安定性を要求する研究開発に適したφ6インチ対応真空／プロセスガス高速アニール加熱システム。特徴は、①最大到達温度1000℃により、幅広いアプリケーションに対応可能な高温環境を実現、②独自の温度制御技術で、面内温度を均一に維持でき、かつ昇温後のオーバーシュートも起こさない、③高純度石英（EN08）チャンバー採用により、出ガスの発生を抑えることで、不純物の再結晶を防ぐ、④オプションで様々な実験環境に対応、など。