SiCの熱酸化プロセスおよびGaNの結晶成長など高い純度や安定性を要求される研究開発に最適なφ6インチ対応真空／プロセスガス高速アニール加熱システム。特徴は、①最大到達温度1000℃を実現、②幅広いアプリケーションに対応可能な高温環境を実現、③SiAu、SiAl、SiMoなどのアニーリングやペースト材料などの焼結プロセス、SiCやGaNなどの新材料にも対応可能、④リニアな温度コントロールを実現、⑤独自の温度制御技術で、両面温度を均一に維持でき、かつ昇温後のオーバーシュートも起こさない、⑥クリティカルな温度プロファイルが実現できる、など。