最大5kVの高電圧ソース、2000Aの大電流ソースを搭載し、パルス出力、ゲートパターン、微小電流測定機能を備え、SiC、GaNなど、ワイドバンドギャップ半導体の設計評価をサポートする半導体カーブトレーサ。特徴は、①正確な微小電流測定（分解能250fA）、②大画面12.1インチのタッチスクリーン、③多彩なGATE信号出力機能、④充実した温度特性測定オプション、⑤プローバーでのハイパワーオンウエハテスト、⑥用途に合わせて測定に必要な電圧／電流ユニットを任意に選択することができる、など。